【公開日：2023.08.03】【最終更新日：2023.08.03】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22NR0009

利用課題名 / Title

半導体デバイスの電気・光学特性の研究

利用した実施機関 / Support Institute

奈良先端科学技術大学院大学 / NAIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed

キーワード / Keywords

Compound semiconductor, Electrical characterization, Optical characterization,電子顕微鏡/Electron microscopy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

仮屋園 広宣

所属名 / Affiliation

セイコーエプソン株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

赤塚泰斗

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

河合　壯,小池　徳貴

利用形態 / Support Type

（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NR-601：微小デバイス特性評価装置
NR-201：多機能分析走査電子顕微鏡

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

半導体デバイスの電気・発光特性を評価する

実験 / Experimental

半導体デバイス電気特性をナノプロバー（NR-601)）を使って、また発光特性をCL（NR-201）を使って評価した

結果と考察 / Results and Discussion

半導体デバイスの電気特性、光学特性のバラツキを得た。デバイス製造条件に課題があることが分かり、条件を振ってサンプル作成を開始、引き続き評価を行い、プロセス条件にフィードバックする

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件