【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0153
利用課題名 / Title
化合物半導体のプロセス開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
BHF,Al2O3,高周波デバイス/ High frequency device,ALD,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
藤田 高吉
所属名 / Affiliation
京セラ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
和田 竜垂,澤田 達郎,清水 悦朗,礒山 和基
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎 将嗣,川又 彰夫
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-031：原子層堆積装置_1[FlexAL]
NM-625：エリプソメーター [MARY-102FM]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
GaNデバイスの絶縁膜としてSiO2やSiN、Al2O3など様々な材料が検討されており、その製膜方法も様々である。そこで、絶縁膜のエッチングというプロセスはデバイスを作製するにあたり重要なものとなる。今回はNPFのALDで成膜を行ったAl2O3をLAL1000とLAL200の2つのBHFでエッチングを行い、エッチングレートを検証した。
実験 / Experimental
1cm□のSi基板を用いた。Si基板に原子層堆積装置[FlexAL]でAl2O3を30nm、40nm、100nmで製膜した。その3種類のサンプルをエリプソメーターで膜厚を測定し、それぞれ30nmと40nmはLAL200、100nmはLAL1000のBHFでウェットエッチングを行い、それぞれのエッチングレートを算出した。
結果と考察 / Results and Discussion
実験結果をTable 1に示す。LAL200のエッチングレートは下記のように約21nm/minと2水準とも同じ値になっている。LAL1000では39.2nm/minとLAL200に比べてエッチングレートが大きいものの予想していたより遅いエッチングレートとなっている。LAL1000では102.56nmと厚い膜を使用していることからSi基板が親水性から疎水性になる状態でも結晶粒が残り、結晶粒がない状態までエッチングをするのに時間がかかるからであると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table 1 Al2O3 etching rate
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
特になし。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件