【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0027
利用課題名 / Title
スパッタエッチング検討
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
H2プラズマ,ALD,スパッタリング/ Sputtering,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,原子薄膜/ Atomic thin film,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,エレクトロデバイス/ Electronic device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
古賀 拓哉
所属名 / Affiliation
ティーイーアイソリューションズ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
橋本 直孝,三原 一祐,荻原 宏之
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
郭 哲維,渋谷 直哉,山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-025：スパッタ成膜装置(芝浦）
AT-102：原子層堆積装置_3〔FlexAL〕
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
AlをスパッタしたウェハはAl表面が自然酸化してしまう為、ALD装置のH2プラズマ処理で自然酸化したアルミナを除去出来るか実験を実施。
実験 / Experimental
実験手順としては、1層目のAlを【NPF025】スパッタ成膜装置（芝浦）にてAlスパッタを行い、【NPF102】原子層堆積装置_3[FlexAL]にてH2プラズマを実施した後に、AlNをALDにて成膜してTEM観察にて層間膜がどうなっているか観察を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
TEM観察を外注依頼して、TEM観察を行ったところAlとAlNの層間にOが検出されたため、H2プラズマではアルミナは除去できないことが判明した。Alの上のAl2O3はスパッタエッチングかドライエッチングを行わないと除去出来ない為、Al2O3が生成されないようなプロセスの構築が必要である。例えば、スパッタでＡｌをスパッタリングした後に、他の金属膜をスパッタして酸化を防ぐというのも手段として有効である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
特になし
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件