【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.03】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0025

利用課題名 / Title

半導体デバイスの作製及び評価

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

半導体デバイス,電子顕微鏡/ Electronic microscope,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

外賀 寛崇

所属名 / Affiliation

旭化成エレクトロニクス(株)

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

鈴木　左文

利用形態 / Support Type

（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-004：マスクレス露光装置
IT-006：走査型電子顕微鏡
IT-009：高真空Eガン蒸着装置
IT-024：触針式段差計
IT-037：クリーンルーム付帯設備一式

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ARIM事業の実施機関である東京工業大学の設備を利用して、半導体デバイスの作製及びその評価を行った。

実験 / Experimental

　まず、マスクレス露光装置を用いて露光、現像を行い、パターンを形成した。そのパターン上に電極材料をEガン蒸着機を用いて積層した。その後、レジストや不要な部分を除去することで、半導体デバイスを作製した。作製した半導体デバイスの状態は、光学顕微鏡や走査電子顕微鏡を用いて観察した。また、電極材料等の膜厚は、触針式段差計で段差を計測することで見積もった。

結果と考察 / Results and Discussion

図１に電極材料を蒸着した後の光学顕微鏡写真を示す。電極の面積や配置などは設計したパターン通りになっており、所望の半導体デバイスができていることを確認した。電極材料等の膜厚に関しても、触針式段差計で段差を計測した結果、設計通りであった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１　作製した半導体デバイスの光学顕微鏡写真

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

技術相談、技術指導など多大なサポートを賜りました東京工業大学工学院電気電子系の鈴木左文准教授、佐藤太一様に感謝申し上げます。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件