【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23IT0022
利用課題名 / Title
エピ/InP基板界面の不純物濃度低減
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,CVD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
岡 俊介
所属名 / Affiliation
JX金属株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
例えばHEMTのようなデバイスにおいて、半絶縁性InP基板表面のSiがキャリアとなり、電子移動度が低下する問題がある。本実験では、表面処理方法を変更することで基板表面のSi濃度低減を検討する。
表面Si濃度を評価する方法としては、ToF-SIMSやTXRFなどの手法があるが、いずれの手法も定量精度に乏しい。本実験の評価方法として、D-SIMSによるInP-epi/Inp-sub.界面のSi濃度を分析するために、InP基板上にエピタキシャル成長を実施する。
実験 / Experimental
IT-010を使用して、2インチInP基板1枚の表面にInPを約200 nm成長させた。成長時の温度は650℃とした。
InP基板はコロイダルシリカ等の研磨液によって鏡面仕上げした後に、酸による最終洗浄を実施した基板を供給した。基板表面のSiは空気中のシロキサン分子によるものと推定されるため、洗浄後の基板をシロキサン分子を除去するような措置を実施して窒素雰囲気中に梱包した基板とそのまま窒素雰囲気中に梱包した基板の2種類に成膜を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
InP基板表面上に上述の方法によりInP膜約200 nmを成長させたが、問題なく成長させることができた。エピタキシャル成長後の表面についても欠陥等の発生はなく、良好なモフォロジーが得られた。
成長後のウエハをSIMS分析により分析し、エピ/基板界面のSiピークを積分しシート濃度を算出したところ、シロキサン分子を除去するような措置を行った基板において、Si濃度が1桁程度低減する結果が得られた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件