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有機金属気相成長装置

設備ID IT-010
分類 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置
装置名称 有機金属気相成長装置 (Metal organic vapor phase epitaxy)
設置機関 東京工業大学
設置場所 東工大大岡山キャンパス
メーカー名 日本酸素 ( Nippon Sanso)
型番 HR-3246
キーワード InP系化合物半導体
仕様・特徴 InP用 ・ウェハトレイ:石英製2インチウェハトレイ ・III族材料:TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 ・V族材料:AsH3(100%),AsH3(1%),PH3(100%),Si2H6,C2H6Zn
    有機金属気相成長装置
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