【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.22】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0008

利用課題名 / Title

光レーダー用面発光レーザの作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

CVD,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,フォトニクス/ Photonics

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

西山 伸彦

所属名 / Affiliation

東京工業大学工学院電気電子系

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

大礒義孝

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-004：マスクレス露光装置
IT-010：有機金属気相成長装置
IT-012：リアクテブイオンエッチング装置
IT-015：SiO2プラズマCVD 装置
IT-037：クリーンルーム付帯設備一式

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

非機械式小型光レーザ実現に向けて、長波長帯の波長可変レーザの実現が必要であり、そのために長波長帯面発光レーザの実現を目指した。
特に埋め込みトンネル接合を利用してた電流狭窄構造は、必須の技術であり、その技術確立を行った。

実験 / Experimental

トンネル接合およびAlGaInAs量子井戸を有するLEDウェハを準備し、リソグラフィによって、トンネル接合の一部をエッチングし、有機金属気相成長法によってInPの結晶再成長を行った。その後、赤外線カメラによって発光特性を測定した。

結果と考察 / Results and Discussion

図には、東工大のロゴマークの形にトンネル接合を残したメサ上にInP結晶再成長した素子の近視野像である。明確にロゴマークの通りに発光しており、電流注入領域がリソグラフィにより定義させていることがわかる。また、メサがない部分の電流-電圧測定を測定したところ、ダイオードの逆バイアス特性のみを示し、ここからも電流が阻止されていることが確認された。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

トンネル接合埋め込み型LEDの近視野像

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件