【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23IT0005
利用課題名 / Title
異種材料集積ハイブリッド光回路の作製
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
CVD,電子線リソグラフィ/ EB lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,フォトニクス/ Photonics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
西山 伸彦
所属名 / Affiliation
東京工業大学工学院電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
堀川剛,大礒義孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-003：マスクレス露光装置
IT-010：有機金属気相成長装置
IT-014：ダイヤモンド用ICPリアクテブイオンエッチング装置
IT-015：SiO2プラズマCVD 装置
IT-036：FormFactor 300mm ウェハプローバ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
超広帯域光トランシーバの実現のため、異種材料集積を利用した大規模光集積回路に向けた技術を研究開発した。特に、光デバイスの性能を向上するため、有機金属気相成長装置を利用した傾斜基板への成長条件の検討と、プローバを用いた300mm基板上での光導波路均一性を評価した。
実験 / Experimental
下記の2つの実験を行った。
有機金属気相成長装置を利用した傾斜基板への成長条件の検討プローバを用いた300mm基板上での光導波路均一性を評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
成長条件については、X線にようInP(311)A基板上へのGaInAsP層について、その格子整合条件を導出した。その後、ドーピング特性を評価した結果、p型、n型両方において、同じドーピング材料のフローでは(100)基板よりも高いドーピングが可能であることが分かった。
また、導波路均一性については、440nmの導波路幅に対し1dB/cm以下の均一な損失が得られていることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
InP (311)A基板へのドーピング特性
Si導波路の損失均一性評価
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件