利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.03.28】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0004

利用課題名 / Title

microTWA法要素技術開発(ミクロセンサー作製)

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

熱電材料・素子/ Thermoelectric materials


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

北村 俊昭

所属名 / Affiliation

東京工業大学 物質理工学院 森川淳子研究室

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

森川 淳子,亀垣 柊二,森岡 亮太,中川 栞,野村 光希,相澤 大地,原口 浩志

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

北村 俊昭 (工学院西山研究室兼務)

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-003:マスクレス露光装置
IT-024:触針式段差計
IT-026:デジタル顕微鏡
IT-027:ダイシングソー及びダイシング補助装置
IT-037:クリーンルーム付帯設備一式


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

エレクトロニクスデバイスの放熱特性向上に必須の、高分子系複合材料の正確な熱設計のためには、各構成要素のミクロスケール熱伝導性の正確な値が必要となる。このような背景でmicroTWA法要素技術としてミクロセンサーMEMSデバイスの作製における高精細化が必須となり、種々のセンサーデザインをマスクレス露光機にて実施し、最適なデバイス作製を目指す。2インチガラス基板利用へ適用プロセスを拡大し、作成効率化を進める

実験 / Experimental

ガラス基板上に回路パターンをマスクレス露光装置プロセスにて形成し、後に蒸着、スパッタプロセスで成膜、リフトオフプロセスにてMEMSデバイス回路形成を行う。MEMS機能は、熱起電力型センサー、ヒータなどである。完成したMEMSデバイスを用いて、本来の計測対象物の熱特性計測にこれを使用する。デバイス作成効率化のため、2インチガラスウエハ基板上にマルチダイを形成し、ダイシングプロセスで複数のマルチダイを切り出すことを行う。今期は、回路構成のライブラリを増やし、より柔軟な熱伝導計測に対応できるMEMSデバイス群を拡張することを目指す。

結果と考察 / Results and Discussion

2インチガラスウエハ用に4デバイス構造CAD図を作成し、マスクレス露光を実施した。リソ工程、成膜工程、リフトオフ工程は従来プロセスを流用し、完成された2インチガラス基板を、ダイシング装置にて4デバイスへ切断し熱計測に使用する。マスクレス露光プロセスの特徴を最大限生かして、既存のセンサー、ヒータ構成を、熱伝導計測対象物の計測特性に合わせて多種配置、形状設計を変更しつつ、短期間で新規MEMSデバイス実現を図った。主な露光工程2回、他プロセス工程を2~3日で処理可能で、最終ダイシングに+1日程度で、最短5日程度で新規設計MEMSデバイスが製造可能となった。センサー、ヒータの構造は、マスクレス露光装置の高解像力を生かして、2~5マイクロメートル程度のMEMSデバイス構造が実現できている

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


MEMSデバイス計測事例


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

文部科学省「マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM)」事業、東工大ナノ構造造形支援事業のご協力に感謝申し上げる


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 液晶相転移における構造異方性と熱物性値の同時測定(口頭発表)相澤大地、森岡 亮太、亀垣柊二 、北村俊昭 、原口浩志 、劉芽久哉 、森川淳子 第44回日本熱物性 シンポジウム2023 11月
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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