【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23WS0164

利用課題名 / Title

電解析出法を用いたμ熱電変換素子の作製

利用した実施機関 / Support Institute

早稲田大学 / Waseda Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

熱電変換、熱センサ,センサ/ Sensor,リソグラフィ/ Lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

本間 敬之

所属名 / Affiliation

早稲田大学　先進理工学部　応用化学科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

WS-002：電子ビーム蒸着装置
WS-005：精密めっき装置群＋ドラフト群
WS-006：プラズマアッシャー
WS-012：電界放出型 走査電子顕微鏡
WS-014：紫外線露光装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

マイクロ熱電変換素子作製に向けた半導体プロセスの改良

実験 / Experimental

熱電変換素子を作製するための，リソ、成膜、エッチング条件の最適化

結果と考察 / Results and Discussion

熱電材料と下部電極の密着性改善に向け、Auメッキ装置とアッシング処理条件の検討を行った。下地層としてEB蒸着装置を用いてガラス基板上にAuを成膜した。精密メッキ装置を用いてAuメッキ条件の検討を行った結果、電流密度を高く、メッキ時間を長くすることで表面ラフネスが増加することが確認された。これはSEMにより確かめられた。また、プラズマアッシャーのアッシング条件を長時間化することで、接触角が小さくなることが確認された。紫外線露光装置によってパターンを作成し、BiSbTeのピラーの密着性を評価した。今後はラフネスとアッシング時間を水準として、密着性を評価していく。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件