【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2024.06.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22IT0053
利用課題名 / Title
InP基板表面の不純物解析
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
成膜, 表面処理
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
岡 俊介
所属名 / Affiliation
JX金属株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
例えばHEMTのようなデバイスにおいて、半絶縁性InP基板表面のSiがキャリアとなり、電子移動度が低下する問題がある。本実験では、表面処理方法を変更することで基板表面のSi濃度低減を検討する。 表面Si濃度を評価する方法としては、ToF-SIMSやTXRFなどの手法があるが、いずれの手法も定量精度に乏しい。本実験の評価方法として、D-SIMSによるInP-epi/InP-sub界面のSi濃度を分析するために、InP基板上にエピタキシャル成長を実施する。
実験 / Experimental
IT-010を使用して、2インチInP基板1枚の表面にInPを約200nm成長させた。成長時の温度は650℃とした。
結果と考察 / Results and Discussion
InP基板表面上に上述の方法によりInP膜約200 nmを成長させたが、問題なく成長させることができた。エピタキシャル成長後の表面についても欠陥等の発生はなく、良好なモフォロジーが得られた。InP基板はコロイダルシリカ等の研磨液によって鏡面仕上げした後に、酸による最終洗浄を実施した基板を供給した。基板表面のSiは空気中のシロキサン分子によるものと推定しており、別途シロキサン分子を吸着可能なケミカルフィルター直下で処理したInP基板についても同様の評価を実施予定。また、今回成膜したInP基板についても、別途SIMS分析を実施予定としている。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件