【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2024.06.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22IT0048

利用課題名 / Title

InP基板上へのレーザ構造エピタキシャル成長

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

成膜, 形状・形態観察, 分析

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

古田 裕典

所属名 / Affiliation

沖電気工業株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-010：有機金属気相成長装置
IT-030：フォトルミネッセンス測定装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

シリコンフォトニクスに向けたレーザー構造のエピタキシャル層の形成を行った。

実験 / Experimental

有機金属気相成長装置を用いてInP基板上にエピタキシャル層を成長させ、外観観察を行い、フォトルミネッセンス測定装置を用いてエピタキシャル層の発光波長の確認を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

東京工業大学の大礒先生のご協力のもと、InP基板上にエピタキシャル層を形成した。Fig.1はウェハの外観写真であり、曇り等が無く正常にエピタキシャル層が形成されていることがわかる。　成長させたエピウェハのフォトルミネッセンス（PL）検査を行った結果をFig.2に示す。狙いどおりの発光が計測されていることから、良好なレーザー構造のエピタキシャル層が形成されていることを確認できた。
今後はシリコンフォトニクスへの適用に向け、シリコン導波路と今回作成したレーザー構造エピタキシャル層の融合を目指す。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig.1　エピタキシャル層を形成したInPウェハ
Fig.2　エピタキシャル層のPL測定結果

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

・西山伸彦様、大礒義孝様（東京工業大学）に感謝します。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件