【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1162
利用課題名 / Title
MEMSデバイスの作製
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
仮接合材料,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,3D積層技術/ 3D lamination technology,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
井上 広章
所属名 / Affiliation
京セラ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-216：紫外線ナノインプリントボンドアライメント装置
KT-217：基板接合装置
KT-227：赤外透過評価検査・非接触厚み測定機
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ウエハ仮接合および接合を実施することで、3次元構造のMEMSデバイス作製プロセスの開発検討を行なった。仮接合および接合条件を検討した結果、仮接合から接合、サポートウエハのリリース工程においてMEMSデバイスを破損することなく高い歩留で作製できることを確認した。
実験 / Experimental
以下の工程によりMEMSデバイスを作製した。(1)：配線形成およびDRIEにより素子パターンを形成した6インチウエハとガラスウエハを仮接合、(2)：別ガラスウエハ上に仮接合した6インチSiウエハをDRIE加工し、接合層を形成、(3)：(1)、(2)それぞれのウエハを接合後、ガラスウエハを剥離し素子をリリース 接合後のIR写真を図１に、ウエハ全体での接合歩留状況の一例を図2示す。
結果と考察 / Results and Discussion
仮接合後のIR写真を図1および図2に示す。図１ではウエハ面内に接合不要部が存在しているNG品である。ガラスウエハへ形成する仮接合材料および構成の最適化をはかり、接合後のウエハ剥離時におけるデバイスへの負荷を低減することで、素子へのダメージを防ぎ高歩留での素子回収を可能とすることができた。図2に仮接合後に接合不良領域が無い合格品のIR写真を示す。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Photography of temporary bonding (NG)
Fig. 2 Photography of temporary bonding (G)
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件