【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TT0009
利用課題名 / Title
膜厚の精度確認
利用した実施機関 / Support Institute
豊田工業大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
蒸着・成膜/Evaporation and Deposition
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
鍋野 清輝
所属名 / Affiliation
サンテック株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
表面加工されたガラス（TEMPAX）基板上に、自社でスペーサ（SiO2）を成膜している。このスペーサの高さ精度が生産プロセスの歩留りに影響を与えるパラメータである。今回、このスペーサの仕上り精度を改善するため、豊田工業大学研究支援部の設備を利用して、スペーサ高さを測定し検証した。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】表面形状測定器（段差計）
【実験方法】ガラス基板に4.8μm、5.0μm、5.2μm の3種類の高さが違うSiO2を自社にて成膜し、段差計で高さ測定を行った。
サンプルの成膜条件は以下の通り：
(i) SiO2: 4.8μm
(ii) SiO2: 4.8μm + 0.2μm
(iii) SiO2: 4.8μm + 0.2μm + 0.2μm
結果と考察 / Results and Discussion
図1にスペーサ高さの測定結果を示している。測定結果を考察すると、各3種類のサンプルは0.1μmほどの分布となっていることがわかり、0.2μm毎の高さになっていることが確認できた。理想に近い形で成膜出来ていることが確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１スペーサー高さ測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件