利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.12】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22UT1103

利用課題名 / Title

SnO2ガスセンサの作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

膜加工・エッチング/Film processing and Etching,スパッタリング/Sputtering,IoTセンサ/ IoT sensor


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

吉田 雅貴

所属名 / Affiliation

東京大学大学院新領域創成科学研究科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

李昂(東京大学大学院新領域創成科学研究科),高木謙斗(東京大学大学院新領域創成科学研究科),吉田賢一(新電元工業株式会社),中西克文(新電元工業株式会社),福田祐介(新電元工業株式会社),野間真樹子(新電元工業株式会社),米谷玲皇(東京大学大学院新領域創成科学研究科),割澤伸一(東京大学大学院新領域創成科学研究科)

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-711:LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019)
UT-704:高密度汎用スパッタリング装置
UT-600:汎用ICPエッチング装置
UT-850:形状・膜厚・電気特性評価装置群


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

SnO2からなる感ガス部,及びPtからなる電極により構成されるガスセンサを作製した.この作製では主に,LL式高密度汎用スパッタリング装置(CFS-4EP-LL),高密度汎用スパッタリング装置(CFS-4ES),汎用ICPエッチング装置(CE-300I),形状・膜厚・電気特性評価装置群(DektakXT)を使用した.

実験 / Experimental

SiO2(膜厚:280 nm)/Si基板上に電子ビームリソグラフィーにより形成されたレジストパターンをマスクとして,汎用ICPエッチング装置(CE-300I)を用いて,ガスセンサ感応部のベースとなるSiO2からなる凹凸構造を作製した.続いて,電子ビームリソグラフィーにより形成されたレジストパターンに対して,LL式高密度汎用スパッタリング装置(CFS-4EP-LL),或いは高密度汎用スパッタリング装置(CFS-4ES)を用いてSnO2膜を製膜し,リフトオフを行うことにより,SnO2からなるガスセンサパターンを作製した.その後,電子ビームリソグラフィー,スパッタリング,リフトオフプロセスにより,Ptからなる電極をSnO2上に作製し,ガスセンサを作製した.

結果と考察 / Results and Discussion

Fig. 1に作製結果の光学顕微鏡写真を示す.SnO2膜上に2つのPt電極が配置された構造となる.このように,先述した加工プロセスによりSnO2を感ガス材料として有するガスセンサデバイスの作製を達成した.様々なガスのセンシングへの応用が期待される.

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 SnO2-based gas sensing device


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

本研究に関して貴重なアドバイスをいただいた三田吉郎先生に感謝致します.


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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