【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.06.20】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0243
利用課題名 / Title
誘電体微細加工
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
誘電体溝パタン,PFI-89B4
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
小倉 睦郎
所属名 / Affiliation
アイアールスペック株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
村井 博信
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-011：i線露光装置
AT-019：多目的エッチング装置(ICP-RIE)
AT-061：短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100]
AT-004：電界放出形走査電子顕微鏡[S4800_FE-SEM]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
化合物半導体基板上の誘電体薄膜（SiNx,SiO2）上に幅1μm以下の格子状パタンをi線露光装置とICPエッチャにより形成した。
実験 / Experimental
・利用した主な装置
i線露光装置【NPF011】
多目的エッチング装置【NPF019】
短波長レーザー顕微鏡【NPF061】
走査電子顕微鏡【NPF004】
自動塗布現像装置【NPF091】
自動塗布現像装置を用いて、NPFの標準レジストである住友化学PFI-89B4を塗布。2000rmpで膜厚2.4μm、4000rmpで膜厚1.8μm
i線露光後同じく自動塗布現像装置で現像。
その後多目的ICPエッチング装置により、誘電体にパタン転写。RF(50W)、Bias(50W)、CHF3 54sccm、1Pa
結果と考察 / Results and Discussion
アスペクト比2程度のレジストパタンが、マスク幅0.6μmまで転写できた（図１）。
そのレジストパタンを利用して、幅1μm以下の誘電体溝パタンが転写できた（図２）。
誘電体(SiO2)とフォトレジストとのエッチング速度比（選択比）を、CF4を用いたRIEと比較すると、ICPエッチングでは、選択比が１：１程度に対して、RIEでは、１：４程度となる。すなわち、ICPエッチング装置を使用することにより、RIEエッチング装置よりは、細く深いSiO2のエッチングが、可能となる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ i線露光後のレジスト断面形状（マスク幅0.8μm）
図２ IPCエッチングによる誘電体薄膜（400nm）のパタニング
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・今後の課題
化合物半導体ICPエッチング装置を用いて、SiO2薄膜をマスクに使用した深溝をInP基板に形成する。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件