【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22AT0082

利用課題名 / Title

ミリングレート安定性評価

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

アルゴンイオンミリング,TEOS酸化膜,熱酸化膜

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

石濱 晃

所属名 / Affiliation

株式会社エルテック

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-033：アルゴンミリング装置
AT-030：プラズマCVD薄膜堆積装置
AT-045：触針式段差計

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

　アルゴンイオンミリング装置を用いたエッチングプロセスでは，再現性良くエッチング量をコントロールすることが重要である。　再現性の一つの指標としてミリングレートの長時間安定性をシリコン酸化膜サンプルによりミリング時間とミリング深さとの関係から検討した。今回の検討では，TEOS酸化膜と熱酸化膜付きサンプルを用い，ミリングレートのミリング時間依存は酸化膜の成膜方法に依存しないことが分かった。

実験 / Experimental

【利用した主な装置】
【NPF033】 アルゴンミリング装置
【NPF030】 プラズマCVD薄膜堆積装置
【NPF045】 触針式段差計

　シリコンウエハー上にTEOS酸化膜をプラズマCVD装置で成膜したウエハー及び熱酸化膜を形成したシリコンウエハーからサンプルを切り出し，マスキングにはカプトンテープを用いた。　ミリング深さはミリング後の試料のミリング領域とマスクされた領域との段差を接触式段差計或いは干渉膜厚計での酸化膜厚を測定した結果から算出した。
　なお，ミリング中は試料ステージの回転とチラーによる冷却を行った。 チラー温度は20±1℃であった。

結果と考察 / Results and Discussion

　Fig.１にミリング時間とミリング深さの関係を示した。
　ミリング時間とミリング深さの関係はシリコン酸化膜の形成方法によらず，短時間のミリングではミリング深さはミリング時間の増加と共にリニア―に増大し，長時間ミリングではミリングレートの増大が観られた。 
　今回検討したビーム電流20mAでは，ミリング時間10分までは8.6nm/minのミリングレートを示し，60分の連続ミリングでは9.8nm/min（114）までミリングレートが増大した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig.1 Dependence of Milling time on Milling depth

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

　本検討を進めるにあたり、国立研究開発法人　産業技術総合研究所　TIA　推進センター　共用施設ステーション　コーディネータ　有本博士、赤松博士、佐藤様、鈴木様には有益なご助言をいただいたことを感謝申し上げます。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件