【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22AT0035
利用課題名 / Title
ステッパー露光による400nmレジストパターンの作成と薄膜Crのドライエッチング
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
センサーデバイス,櫛歯型パターン
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山本 隆一郎
所属名 / Affiliation
日本MEMS株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-011：i線露光装置
AT-019：多目的エッチング装置(ICP-RIE)
AT-004：電界放出形走査電子顕微鏡[S4800_FE-SEM]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
センサーデバイス等に使われる櫛歯型パターンで、ミクロンからサブミクロン単位での微細加工が要求されている。基板材料もSiに止まらず、光学系への利用分野では石英なども検討されている。今回は加工が容易なSi基板で、サブミクロン単位のレジストパターンをステッパー露光にて形成、次に形成したレジストバターンをマスクにしてハードマスク材料として使用されるCrのドライエッチングを行い、断面SEMにてその形状確認を行った。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】
i線露光装置
多目的エッチング装置
自動塗布現像装置
電界放出形走査電子顕微鏡
【実験方法】
ステッパー露光でサブミクロンパターンがどこまで切れるかを確認する為、サブミクロンから数十ミクロンのトレンチパターンが用意されているガラスマスクを使用して、事前にCr薄膜成膜済みのSiウェハを露光/現像、サブミクロンパターンを形成後にCrのドライエッチングを実施した。
結果は断面SEMにより露光パターンの形状確認及びCrのエッチングジオメトリーを確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1より、400nmのパターンまではエッチングマスクとして十分な形状が得られていることが分かる。またCrのドライエッチングの場合、レジストパターンの肩の部分が削られ、その分レジスト側壁のCrの裾引きが発生することも観測された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1(above) (above) 500nm spaced photo-resist patterns. (below) 400nm photo-resist pattern used for Cr dry etching. Footing of resist underlayer Cr is observed.
Fig.1(below) (above) 500nm spaced photo-resist patterns. (below) 400nm photo-resist pattern used for Cr dry etching. Footing of resist underlayer Cr is observed.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件