【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2024.03.05】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT0299
利用課題名 / Title
二次元材料成長用基板の表面分析
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,集束イオンビーム/Focused ion beam,高品質プロセス材料/ High quality process materials
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
南條 航平
所属名 / Affiliation
東京大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
森田真理
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-152：CADデータ連動3次元機能融合デバイス評価用前処理システム
UT-005：原子分解能元素マッピング構造解析装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
サファイア基板上にWS2をはじめとした単層二次元材料をCVD法で成長させたのちのサファイア基板および二次元材料の界面周辺の断面観察を行うため、サファイア基板にWS2を成長させたサンプルに対してFIB加工とSTEM観察を行った。
実験 / Experimental
WS2をCVDで成長させたサファイア基板に対してFIB装置でカーボンの電子線誘起デポジション、およびイオンビーム誘起デポジションを順に行う。続いてガリウムイオンビームで長さ10μm、幅1μm程度のSTEM試料を作成し、FIBグリッドに接合する。この試料をについてTEM装置を用いてHADDF-STEM像を観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
得られたHADDF-STEM断面像からはサファイアに特徴的なダンベル型の原子配列が観察され、正しくサファイア基板を観察できていることが確認された。サファイア基板上のWS2薄膜については厚みが数nm以上と、単層には見えない原子像が観察された。原因として単層であったWS2がFIB加工中にダメージを受けてアモルファス化し、厚みが増加してしまったことがあげられる。この問題を防ぐために将来的にFIB加工時のガリウムビーム電圧などのパラメータを変更することが必要であろう。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件