【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22UT0064
利用課題名 / Title
GaAs基板上への酸化物反射膜形成と解析
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）その他/Others
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,X線回折/X-ray diffraction,リソグラフィ/Lithography,赤外・可視・紫外分光/Infrared and UV and visible light spectroscopy,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
丸田 秀昭
所属名 / Affiliation
株式会社マグネスケール
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
小川 巧,加藤 伸行
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-303：分光エリプソメータ
UT-102：高分解能走査型分析電子顕微鏡
UT-202：高輝度In-plane型X線回折装置
UT-712：8元電子線蒸着装置
UT-850：形状・膜厚・電気特性評価装置群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
AlGaAs系光学素子への応用を目的とし、酸化物薄膜による光反射膜を検討した。
実験 / Experimental
GaAs基板上にAl2O3およびTa2O5薄膜を蒸着にて形成した。単層膜を分光エリプソメータにより評価し、積層膜の積層数による反射率への影響を確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
Al2O3およびTa2O5単層膜の屈折率を分光エリプソメータにて測定したところ、波長800 nmにおいてそれぞれ1.62および2.06の値が得られた。Mean Squared Error (MSE)は10以下であり、測定とモデルのフィッティングが良好であったことを示している。 光学的に波長800 nmの1/4に相当する膜厚のAl2O3とTa2O3の積層膜をユニットとする多層膜を形成し、反射率を測定した。800 nmにおける反射率のユニット数依存を表1に示す。ユニット数の増加に従い反射率が高くなることを確認した。反射率制御に利用できると考えている。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
反射率のAl2O3/Ta2O3ユニット数依存
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
東大スタッフの皆様の献身的なサポートにより様々な実験をワンストップで実施できました。大変感謝しております。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件