【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22IT0046
利用課題名 / Title
高速高偏光ビーム素子電極向レジスト条件探索
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ, 露光, 描画装置
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
塚本 真彩
所属名 / Affiliation
徳島大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
梅本 髙明
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-001：電子ビーム露光装置
IT-002：電子ビーム露光データ加工ソフトウェア
IT-006：走査型電子顕微鏡
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
高速高偏光ビーム素子における電極構造の露光及びレジスト条件の探索を行った。今回はARIM学生研修プログラムによる東工大「電子ビームリソグラフィ」研修に参加し、東工大未来産業技術研究所の設備を用いて、 100nm線幅のLineが1.4μmピッチで配置されているレジスト構造を作製した。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】・電子ビーム露光データ加工ソフトウェア・電子ビーム露光装置・高分解能SEM
【実験方法】15mm×15mmに切断したSi基板にレジストZEP
520Aを120nm塗布したものを準備。露光パターンとして100nmLineを1.4μmピッチで配置し、断面観察用に切断できるようLineの長さを1mmに設計した。100kV、100pAの露光条件で、Dose量を450、400、350、300、250μC/cm2の5段階に変化させ電子ビーム露光を行った。現像条件は
キシレン15秒、リンス20秒＠IPA。
結果と考察 / Results and Discussion
現像後に基板を切断、Pt-Pdをコートして高分解能FE-SEMにて断面観察を行った。Dose 400μC/cm2、現像時間 15秒＠キシレンの条件でのSEM断面写真を図１、100nmLineの断面拡大写真を図２に示す。Line線幅は101nm、レジスト膜厚は約140nmで残渣もなく100nm Lineがきれいに切れている。上記露光条件で良好な結果が得られた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 令和4年度学生研修プログラム成果発表会（2022年9月16日）
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件