【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22BA0018
利用課題名 / Title
電界放出型走査電子顕微鏡による2次元半導体の観察
利用した実施機関 / Support Institute
筑波大学 / Tsukuba Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,原子層薄膜/ Atomic layer thin film,ナノ粒子/ Nanoparticles
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
池沢 道男
所属名 / Affiliation
筑波大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
王 若儀,石田 峻之,Kweon Dongkyun
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
遷移金属ダイカルコゲナイドや六方晶窒化ホウ素などの原子層厚さの物質を、SiO2/Si基板上に成長させた試料やサファイア基板上に成長させた試料、及びナノフレーク状の試料を電界放出型走査電子顕微鏡を用いて観測し、形状や分布を調べる。
実験 / Experimental
主に六方晶窒化ホウ素ナノフレークをSiO2/Si基板上にドロップキャストした試料を電界放出型走査電子顕微鏡(SU-8020)を用いて観察した。ナノフレークの提供元によって形状や粒径分布がどのように違うか、また、光学活性な欠陥を生成するためのアニールによってどのように変わるかを調べた。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig. 1はA社のhBNナノフレークのSEM像の一例である。円盤状のナノフレークが観察され、直径は大きなものでも300 nm程度である。B社の試料では、形状が多岐にわたり、サイズの分布も数ミクロンサイズのものも含まれるなど非常に広い事が分かった。また、A社のナノフレークを、850 ℃で真空中でアニールすることによって光学活性な欠陥の数を増加させることができたが、SEMで観察した形状には大きな変化が見られなかった。酸素が関わった欠陥である可能性があることから、大気中でのアニールも試みたが、SEM観測の結果、円盤状の形状が壊れている事が分かり、より適切な雰囲気の選択が必要であることが示唆された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 SEM image of a hBN nanoflake sample.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件