【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.16】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22BA0006

利用課題名 / Title

高耐圧デバイスの試作、及び電気的特性評価

利用した実施機関 / Support Institute

筑波大学 / Tsukuba Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

パワーエレクトロニクス/ Power electronics

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

澤田 達郎

所属名 / Affiliation

京セラ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

和田　竜垂

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

BA-016：パワーデバイス特性評価装置
BA-017：IRエミッション顕微鏡

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

現在、Siに代わる次世代半導体として、SiCやGaNに代表される広いバンドギャップを持つ半導体材料を用いた電子デバイス（トランジスタやショットキーバリアダイオード）の研究が盛んにおこなわれている。 今回、筑波大学マテリアル先端リサーチインフラ事業（ARIM）の評価装置を用いて、次世代半導体を用いたショットキーバリアダイオードの特性評価を実施したので、報告する。

実験 / Experimental

基板上に作製したショットキーバリアダイオードをパワーデバイス特性評価装置（設備ID：BA-016）を用いて、電気的特性の評価を実施した。
尚、今回評価したサンプルは、基板上に作製されたチップの状態であるため、同施設にあるIRエミッション顕微鏡（設備ID：BA-017）付帯のウェハプローバーを用いて、電極パッドとの電気的な接続を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

作製したショットキーバリアダイオードの室温における順方向特性と逆方向特性を、それぞれ図1、図2に示す。順方向特性において、立ち上がり電圧は約0.8Vと良好な結果が得られた。また、逆方向特性に関しても600V以上の十分な素子耐圧を確認することが出来た。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1.順方向特性

図2.逆方向特性

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件