【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0188
利用課題名 / Title
圧電薄膜のドライエッチング / Dry etching of piezoelectric thin films
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/Film processing and Etching,MEMSデバイス/ MEMS device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
行藤 敏克
所属名 / Affiliation
株式会社シリコンセンシングプロダクツ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
田淵裕介
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
菊田利行
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
圧電薄膜の加工のため、塩素系ガスとCF系ガスを用いRIE装置でエッチングを行った。
実験 / Experimental
【装置】
アルバック製ドライエッチング装置NE-550
【実験方法】
フォトレジストでテストパターンを形成した圧電薄膜付6インチSi基板をエッチングした。圧電薄膜のエッチング後、触針式段差計にてフォトレジスト残膜と圧電薄膜のエッチング量を測定した。圧電薄膜のエッチング条件は表1と表2の2条件とした。
結果と考察 / Results and Discussion
2つのエッチング条件でそれぞれ表3と表4の結果を得た。
エッチングレートを重視した表1の条件においては、76.2 nm/minのエッチングレート、 下地電極との選択比を重視した表2の条件においては、42.8 nm/minのエッチングレートと、下地電極との選択比は7.14が得られた。
2つの条件を用いることで圧電薄膜のエッチングが可能となった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 エッチング条件1（エッチングレートを重視した条件）
表2 エッチング条件2（下地電極との選択比を重視した条件）
表3 エッチング条件1の結果（エッチングレートを重視した条件）
表4 エッチング条件2（下地電極との選択比を重視した条件）
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件