【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0172
利用課題名 / Title
KOH溶液によるSiエッチング / Si etching with KOH solution
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
SiN膜, ウェットエッチング, KOH溶液,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,ナノ多孔体/ Nanoporuous material
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
平田 泰之
所属名 / Affiliation
住友精密工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
長谷川晴紀
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
森山雅昭, 菊田利行, 鶴谷敏則
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-063：i線ステッパ
TU-203：DeepRIE装置#3
TU-217：KOHエッチング槽
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ウェットエッチングでナノ形状の穴を開けて液体を流すためのデバイスを作製することを目的とした。
実験 / Experimental
i線ステッパ（FPA-3030i5+）を使用して表面に0.3 µmの穴パターン及び、裏面に逆ピラミッドパターンのマスクを形成した。その後、保護膜であるSiN膜のマスク形成をエッチング装置（DeepRIE装置#3）を用いて形成した。形成したマスクに対してKOH溶液によるウェットエッチング（KOHエッチング）を行うことでSiが結晶方位に従ってエッチングされることで逆ピラミッドパターン形状を形成した。そして、穴と逆ピラミッドパターンを組合わせることで液体を流すデバイスを作製した。
結果と考察 / Results and Discussion
ステッパ装置でSiN膜に穴径0.3 µmの穴パターン形成を行い、ドライエッチング装置を用いてSiN膜をエッチングすることで0.3µmの穴径パターンが形成できていることをSEM像で確認することができた。これをFig. 1に示す。また、SiN膜を保護膜としてKOH溶液でシリコンをエッチングした結果、逆ピラミッド形状に形成されていることを確認することができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SEM image with a hole diameter of 0.3 μm.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件