【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22TU0074

利用課題名 / Title

光通信用MEMSデバイスの開発 / MEMS device development for optical communications

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

光通信用MEMSデバイス,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,スパッタリング/Sputtering,MEMSデバイス

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

田中 秀治

所属名 / Affiliation

東北大学大学院工学研究科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

Santec AOC株式会社　堀内 雄暉,Santec AOC株式会社　BishwajeetSingh Bhardwaj

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

森山 雅昭

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-211：プラズマクリーナー
TU-206：アルバックICP-RIE#2
TU-216：Vapor HFエッチング装置
TU-201：DeepRIE装置#1
TU-202：DeepRIE装置#2

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

The goal of this project is to develop high-performance, compact MEMS for optical communication applications. At the Nishizawa center, we carry out prototype research and development, and at the Graduate School of Engineering, we will analyze the optical and mechanical characteristics.

実験 / Experimental

In order to fabricate our MEMS sample, we used maskless aligner (B-09), Ulvac ICP-RIE#2 (E-06), Deep-RIE equipment (E-01, E-02). We deposited SiN and Poly Si on the sample using LPCVD (D-01). We used a scanning probe microscope (G-14) to investigate fabricated microstructures.

結果と考察 / Results and Discussion

An illustration of a MEMS sample's fabricated shape is shown in Figure 1. We were able to fabricate the appropriate thickness of SiN and Poly Si, as shown in Fig. 1, by controlling the time of deposition. At the Nishizawa center, we'll continue fabricating the MEMS sample and then analyze its optical and mechanical characteristics.

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig. 1 SEM image of cross-section of MEMS sample

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件