【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0058
利用課題名 / Title
多段回折光学素子の試作開発 / Trial development of multi-stage diffraction optical element
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ/Lithography,ナノフォトニクスデバイス/ Nanophotonics device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
松本 輝義
所属名 / Affiliation
パール光学工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-056：両面アライナ
TU-205：アルバックICP-RIE#1
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
効率の高い回折光学素子の製作を目指し、より多段のパターン製作を試みる。
パターンを両面アライナで露光するが、以前より行なっていたソフトコンタクトと今回行なうバキュームコンタクトを比較する。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】
両面アライナ露光装置一式、アルバックICP-RIE
【実験方法】
石英基板に両面アライナを使ってレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして石英基板をICP-RIEにてドライエッチングした。その後再度レジストを塗布し、先のパターンに位置合せをして別のマスクパターンを露光・形成、ドライエッチングを実施した。パターン形成＆ドライエッチングを2回施すことにより4段のパターンが形成される。
パターンピッチ寸法は2 µmとし両面アライナ露光時にソフトコンタクトしたものとバキュームコンタクトしたものを比較する。
結果と考察 / Results and Discussion
両面アライナ露光時にソフトコンタクトしたものの光学顕微鏡画像をFig. 1に、バキュームコンタクトしたものの光学顕微鏡画像をFig. 2に示す。 ソフトコンタクトしたものは、露光2回目のパターン形状が大きく崩れてしまっていた。バキュームコンタクトしたものは、露光2回目のパターンもフォトマスクのパターン形状通りに転写することができた。 多段パターン形成の場合2回目の露光は1回目加工の凸凹基板上に行なうため、ソフトコンタクトではマスクとサンプル基板の間に隙間が生じてきれいに転写できなかったものと思われる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Pattern image for soft contact
Fig.2 Pattern image for vacuum contact
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件