【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22HK0046
利用課題名 / Title
電子部品材料開発に向けた原子レベル組織解析
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学 / Hokkaido Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,CVD,原子薄膜/ Atomic thin film
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
足立 修一郎
所属名 / Affiliation
(株)レゾナック
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
岩崎純子,大多亮,松尾保孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
HK-101：ダブル球面収差補正走査透過型電子顕微鏡
HK-613：プラズマCVD装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコン酸化膜（SiOX膜）は、先端産業におけるコーティング材料として 多くの用途に利用されている。今回、アルミニウム（Al）基板上にCVD法で成膜したSiOX膜を、透過型電子顕微鏡（TEM）を用いて観察し、SiOX膜の結晶性及び密着性を評価した。
実験 / Experimental
観察対象：Al基板上にCVD法で成膜したSiOx膜 利用装置：透過型電子顕微鏡TITAN G2 60-300
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1に、SiOX成膜したAl基板の断面におけるSTEM観察像と、同一箇所におけるAl, Si及びOのEDXマッピング結果を示す。Al基板表面には、SiOX膜が所望の厚さで形成されていた。Fig.2は、Al基板とSiOX膜の界面における高分解能TEM像である。SiOX膜はAl基板と原子レベルで密着していることが分かった。また回折像から、SiOX膜はアモルファス状であり、Al基板は高い結晶性を有していることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 SiOX成膜Al基板断面のHAADF STEM及びEDXマッピング像
Fig.2 Al基板断面とSiOX膜界面の高分解能TEM像及び回折像 （b1）SiOX膜、(b2) Al基板
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件