【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NI0106
利用課題名 / Title
シリコン量子ドットに関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋工業大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,量子効果デバイス/ Quantum effect device,資源使用量低減技術/ Technologies for reducing resource usage
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
加藤 慎也
所属名 / Affiliation
名古屋工業大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコン量子ドットは量子サイズ効果によってバンドギャップを変化させることが可能である。しかし、量子サイズ効果を得るためには直径を5nm以下まで低減する必要がある。直径を制御するためにシリコンリッチなシリコン酸化膜層と酸化膜層を交互に積層させシリコンリッチなシリコン酸化膜層の膜厚を制御することで量子ドットの直径の制御を行った。
実験 / Experimental
石英基板上にプラズマCVD法によって薄膜を形成した。シランガスと二酸化炭素ガスを導入し、2つの比を変化させシリコンリッチ層を形成した。その後、900度30分で加熱処理をすることで結晶化した。
結果と考察 / Results and Discussion
加熱処理によってシリコンリッチ層のシリコンが結晶化し、膜厚に応じた球形の量子ドットを作製することに成功した。電子線回折の評価もおこない、回折パターンを得られていることから、結晶構造ができていると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件