【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22RO0030
利用課題名 / Title
極限環境デバイスのための4H-SiC CMOSプロセスの研究
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ/Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
甲斐 陶弥
所属名 / Affiliation
広島大学大学院 先進理工系科学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCを用いたCMOS回路化に必要となるWell形成を行った。Well形成にはレジストをマスクとしたエッチングとエピタキシャル成長、Chemical Mechanical Polishing(CMP)を用いた。レジスト成膜、エッチング及び表面観察に広島大学の設備を用いた。
実験 / Experimental
4H-SiC 4°オフ基板に日本化薬社製ネガ型フォトレジストSU-8 3005を塗布し、マスクレス露光装置(RO-113)を用いて露光を行い、パターンを形成した。その後、Boschプロセスによるエッチングを行った。レジスト除去後、国立研究開発法人産業技術総合研究所(AIST)にてエピタキシャル成長を行い、斉藤光学製作所社にてCMPを行い表面の平坦化を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1に日本化薬社製ネガ型フォトレジストSU-8 3005を用いた7000mJ/cm2露光後のアライメントマークパターンの光学顕微鏡写真を示す。写真から5µmの幅においても十分な精度で露光されていることが確認された。この条件において作成したレジストパターンでエッチングを行った結果をFig.2に示す。Well領域となる部分は段差計において約6µmのエッチングが確認され、十分な深さを達成した。続くプロセスは現在進行中である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 SU-8 3005で形成したアライメントマーク(左から幅50µm, 10µm, 5µm)
Fig.2 Well形成領域のエッチング後光学顕微鏡写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件