【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.04.24】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22RO0014

利用課題名 / Title

RTAを用いた強誘電体HfZrO2の形成とTFTへの応用

利用した実施機関 / Support Institute

広島大学 / Hiroshima Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

RTA

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

原 明人

所属名 / Affiliation

東北学院大学　工学部

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山田 真司,水野 恭司

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

RO-222：Rapid Thermal Anneal装置（RTA）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

単一ターゲットを用い、ターゲット交換によりTiN/HZO/TiNのキャパシタを形成し、RTAにより強誘電体を形成することを目的としている。ピンホール発生により十分な成果が得られていない。

実験 / Experimental

単一ターゲットを用い、ターゲット交換によるスパッタリングを用いてTiN/HZO/TiNの積層構造を形成、引き続いたRTAにより強誘電性を発現させることを目的とする。

結果と考察 / Results and Discussion

単一ターゲットのスパッタリング装置を利用し、ターゲット交換によりTiN/HZO/TiNの積層構造を形成する場合、必ず表面が大気暴露される。これにより表面は酸化され、界面に酸化膜が形成される。このサンプルをRTA処理を施し、強誘電体薄膜を形成することを試みている。数年にわたって同一のプロセスを繰り返しているが（条件は少しずつ変えている）、ピンホールの発生を抑制できない。このピンホールはRTAだけでなく、通常の熱処理菅を用いた500℃以上の熱処理においても発生することが確認された。その結果、正確なCV特性の評価ができていない。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件