【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.04.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22RO0011
利用課題名 / Title
多結晶シリコンゲルマニウム薄膜トランジスタの開発
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ドーピング、 イオン注入
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
原 明人
所属名 / Affiliation
東北学院大学 工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
佐川達哉
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山田 真司,水野 恭司
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
連続波レーザ結晶化（CLC）poly-Si0.9Ge0.1 薄膜トランジスタ（TFT）を作製するための、BF2のイオン注入工程を行い、TFT製造を行った。
実験 / Experimental
P-ch poly-Si0.9Ge0.1 TFT形成のためのソース・ドレインへのBF2のイオン注入を行った。イオン注入工程を除いたプロセスは、本学のTFTプロセスによるデバイス作製である。
結果と考察 / Results and Discussion
SDの方向がレーザ結晶化の方向と平行な場合について、poly-Si0.9Ge0.1の膜厚を変更した場合のトランスファ特性を測定した。図は異なるゲート長に対して、縦軸をオン電流、横軸をオフ電流としてデータを整理した結果である。膜厚が100 nmのTFTではオン電流、オフ電流ともに高い値を示している。一方、膜厚が50 nmのTFTでは100 nmと比べてオン電流が減少し、オフ電流が大幅に下がっている。この現象はCLC poly-Si0.9Ge0.1 薄膜の中に多量のアクセプタが存在することを意味している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Ion vs. Ioff for different Si0.9Ge0.1 film thickness
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Akito Hara, (Invited, Digital Presentation) Evaluation of Polycrystalline-Si1-XGex Thin-Film Transistors Grown Laterally on a Glass Substrate Using a Continuous-Wave Laser, ECS Transactions, 109, 59-66(2022).
DOI: 10.1149/10906.0059ecst
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 佐川達哉，原明人“ガラス基板上の多結晶SiGe薄膜トランジスタ特性のSiGe膜厚依存性”[15p-B410-6] 第70回応用物理学会春季講演会 2023年3月15日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件