利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.05.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22NU0271

利用課題名 / Title

データFSのためデータ収集実験

利用した実施機関 / Support Institute

名古屋大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者)/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

スパッタリング/Sputtering,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

大島 大輝

所属名 / Affiliation

名古屋大学大学院工学研究科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NU-203:薄膜X線回折装置
NU-204:原子間力顕微鏡
NU-205:3元マグネトロンスパッタ装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

データFSのためのデータを収集するため、スパッタ装置によりガラス基板上にAl薄膜を堆積させ、ガス圧およびAl膜厚が特性に与える影響を調べた。

実験 / Experimental

3元マグネトロンスパッタ装置を用いて76×26 mm2サイズのスライドガラス基板上にAlを堆積させた。Alの放電電力は100 Wとした。放電ガスとしてArを15 sccmを流入させ、Arガス圧を0.5、1、2 Paと変化させて100 nmのAl薄膜を3つ成膜した。次に、Arガス圧と放電電力を1 Paとし、Al膜厚が200 nm、400 nm、600 nmになるように成膜した。Al成膜中の反射電力は、約0.2 Wであった。サンプルの表面形状は原子間力顕微鏡(AFM)、結晶構造は薄膜X線回折装置(XRD)により測定した。

結果と考察 / Results and Discussion

まず、サンプルの目視により、サンプルはほとんど全てで鏡面を示したが、1 Paで600 nm堆積させたサンプルのみ表面が白くなったことを確認した。Fig. 1およびFig. 2に、Arガス圧を0.5、1、2 Paと変化させて作製したAl薄膜100 nmのXRDプロファイルおよびAFM画像をそれぞれ示す。Fig. 1に示すようにArガス圧の変化に伴い、結晶構造に起因するピークに目立った変化は見られず、結晶性に違いが見られないことがわかった。一方、Fig. 2に示すように、表面形状ではガス圧が高くなるにつれて表面平均粗さRa(表面のラフネス)が大きくなる傾向が見られた。Al膜厚を200、400、600 nmと厚くしていくと、表面のラフネスも大きくなっていき、600 nmのサンプルではRaが12 nmという値が得られた。この表面ラフネスの大きさが、表面が鏡面にならなかった原因であると考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 XRD profiles of 100 nm-thick Al films



Fig. 2 AFM images of 100 nm-thick Al films


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

なし。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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