【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0268
利用課題名 / Title
シリコン異方性ウエットエッチングの全方位加工特性に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/Film processing and Etching,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,MEMSデバイス/ MEMS device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
田中 浩
所属名 / Affiliation
愛知工業大学工学部機械学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコンアルカリ異方性ウエットエッチングのグリーンプロセス開発に向け，極低濃度のアルカリ水溶液を用いたエッチング加工特性を調査している．本研究では，試料としてシリコン半球を用いることで，シリコン単結晶のあらゆる結晶面での加工特性を把握することを目的とする．シリコン半球試料作成に対し，半球全面を一度熱酸化する必要があり，酸化炉にて酸化実験を行った．
実験 / Experimental
【利用した主な装置】
酸化・拡散炉（NU-219）
【実験方法】
直径２２ｍｍの単結晶シリコン半球試料を用意した．ウェハ用酸化ボートに，シリコン半球を配置し，酸化を行った．酸化膜狙い値を１μｍとした．予め酸化・拡散炉にて１０００℃ と１１００℃での酸化膜厚と酸化時間の関係がわかっている．今回は，１１００℃を酸化温度として，上記の関係から，酸化時間を２時間２０分と決定した．また，従来はシリコン半球を１つ投入して酸化を行ってきたが，今回は２個同時投入して，酸化が行えるかを確認した．
結果と考察 / Results and Discussion
酸化後のシリコン半球写真外観を図１に示す．従来と同様の酸化膜状態の試料を得ることができた．また，今回同時に２個酸化炉に投入しても，膜が２個とも同じ状態となっていることを確認できた．
今回のシリコン半球２個を投入した酸化炉の均熱帯は約３０ｃｍの幅であることが装置仕様からわかっている．この均熱帯の中央部分にシリコン半球２個を置いたが，このような状態で酸化すれば，十分に試料として使用できることを確認できた．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ 酸化後のシリコン半球写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
シリコンウェハを酸化できる炉は多々存在するが，今回のような半球（特殊形状）のシリコンを酸化できる炉は貴重であり，研究の進展にあたり大変有用な装置と考える．
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件