利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.05.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22NU0265

利用課題名 / Title

ガリウムの結晶性制御

利用した実施機関 / Support Institute

名古屋大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

熱処理,形状・形態観察,結晶性評価


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

近藤 敏彰

所属名 / Affiliation

愛知工科大学工学部機械システム工学科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

日陰 達夫,林 育生

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NU-203:薄膜X線回折装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

アノード酸化プロセスにより作製したポーラス酸化ガリウムの結晶性を薄膜X線回折装置により調査した。

実験 / Experimental

ガリウム板をアノード酸化することでポーラス酸化ガリウムを得た。サンプルのガリウム部分を選択的に溶解除去することでポーラス酸化ガリウムメンブレンを得た。得られたサンプルの幾何学形状はSEMを用いて観察した。ポーラス酸化ガリウムメンブレンの結晶性は,薄膜X線回折装置(NU-203)を用いて評価した。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig.1にはアノード酸化により形成されたポーラス酸化ガリウムの代表的なSEM観察像を示す。ナノ細孔配列の形成が観察された。ナノ細孔の直径は180nmであった。Fig.2には,ポーラス酸化ガリウムのXRD測定結果を示す。ポーラス酸化ガリウムメンブレンをスライドガラス上に配置し,XRD測定を行った。ポーラス酸化ガリウムの結晶に由来するピークは観察されず,作製したポーラス酸化ガリウムはアモルファスであることが明らかとなった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 SEM image of a porous Ga oxide



Fig. 2 XRD spectrum of porous Ga oxide


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

・基盤研究C 「アノード酸化プロセスによる複合アニオン化合物の創生」
・日陰達夫様,林育生様(名大ARIM)に感謝します。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. (1) 近藤敏彰, “ガリウムのアノード酸化挙動”表面技術協会第149回講演大会, A-60,令和5年3月8日
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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