【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0255
利用課題名 / Title
窒化物薄膜のXRD分析
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
窒化物薄膜, 結晶性基板, In-plane 測定,原子薄膜/ Atomic thin film
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
藤中 智徳
所属名 / Affiliation
株式会社デンソー
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
我々は、結晶性基板上への厚み15 nm程度の窒化物薄膜の形成に取組んでいる。そして、目的とする窒化物の形成を確認するために薄膜のOut-of-plane X線回折(XRD)測定を実施した。しかし、基板などに起因するバックグラウンドシグナルに埋もれてしまうために、窒化物からの回折ピークを観測できなかった。そこで本課題では、対象とする窒化物の形成を確認することを目的に、薄膜のXRD測定をバックグラウンドシグナルの低減可能なIn-plane法により実施した。
実験 / Experimental
XRD装置（RIGAKU社製 ATX-G）を用いて、結晶性基板上に形成された窒化物薄膜のIn-plane XRD測定を行った。測定は、2θ：60 °～75 °の範囲を測定速度1 °/minで実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
図1に窒化物薄膜のIn-plane XRD測定結果を示す。2θが66 °付近と70 °付近に、回折ピークを観測した。目的とする窒化物は66 °付近、基板は70 °付近に回折ピークを生じることを計算により確認している。したがって、観測された66 °付近と70 °付近のピークは、それぞれ目的とする窒化物と基板に由来するものであると言える。以上の結果より、窒化物薄膜のIn-plane XRD測定により目的とする窒化物の形成を確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１. 窒化物薄膜のIn-plane XRD測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件