表面X線回折計
最終更新日：2023年6月23日
| 設備ID | QS-113 |
|---|---|
| 分類 |
回折・散乱 > X線回折 成膜装置 > MBE(分子線エピタキシー) |
| 設備名称 | 表面X線回折計 (Surface X-ray diffractometer) |
| 設置機関 | 量子科学技術研究開発機構（QST） |
| 設置場所 | SPring-8 BL11XU |
| メーカー名 | 神津精機（株）ほか (Kohzu Precision Co., Ltd., etc.) |
| 型番 | なし（特別仕様） |
| キーワード | 放射光、結晶成長リアルタイム観察、半導体ナノワイヤ、半導体量子ドット、半導体多層膜、表面・界面・粒界制御、高周波デバイス、高品質プロセス材料、パワーエレクトロニクス、ナノエレクトロニクスデバイス、量子効果デバイス、ワイドギャップ半導体、原子層薄膜、MBE、エピタキシャル成長 |
| 仕様・特徴 | ・半導体ヘテロ構造や多層膜、半導体量子ドット結晶やナノワイヤなどの成長過程について、原子が一層づつ積み上がってゆく様子を、表面X線回折法によってリアルタイム観察できる装置。 ・原子状窒素を利用する分子線エピタキシー法により、GaNやInNなどの窒化物半導体の成長を行うことができる。 ・良質な電子材料の作成をサポート。 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=QS-113 |
