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“QS-113“ で検索した結果 10件
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- 23QS0007
- その場X線回折測定を用いた逆臨界膜厚エピタキシー過程の観察
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0008
- スパッタアニールAlNの表面クリーニングによる極性制御メカニズムの解明
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0009
- GaNリモートエピタキシーのサファイア基板面方位依存性のリアルタイムX線回折による解析
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0010
- 赤色発光InGaN量子構造形成におけるその場X線回折測定
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0110
- その場X線回折測定を用いたGaNリモートエピタキシー過程の観察
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0111
- その場X線CTR散乱を利用した–c 極性AlN極性反転メカニズムの解明
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 23QS0112
- ScAlMgO4基板上InGaN成長におけるその場X線回折測定
- 2024.7.25
- 量子科学技術研究開発機構
- 22QS0112
- グラフェンを直接成長させたサファイア基板上でのGaNリモートエピタキシーのリアルタイムX線回折
- 2023.8.1
- 量子科学技術研究開発機構
- 22QS0111
- 高品質InGaNエピタキシャル結晶実現のための成長その場X 線回折測定
- 2023.8.1
- 量子科学技術研究開発機構
- 22QS0110
- ヘテロリモートエピタキシーにおけるGaN 核を用いた結晶化過程の観察
- 2023.8.1
- 量子科学技術研究開発機構