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“NM-609“ で検索した結果 30件
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- 23NM5006
- 高性能ダイヤモンド電子デバイスの作製と絶縁体/ダイヤモンドヘテロ界面特性の解明
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構
- 23NM5067
- GaN半導体の低抵抗オーム性電極の作製
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構
- 23NM5073
- ワイドバンドギャップ半導体の微細構造形成・デバイス応用
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構
- 23NM5143
- ホウ素ドープダイヤモンド電極付き圧力装置を用いた超伝導体探索
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構
- 23NM5159
- 量子デバイス応用を目指した薄膜評価とナノ構造作製
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構
- 23NM5186
- 二次元ヘテロ構造デバイスの研究
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構
- 23NM5196
- ダイヤモンドデバイスの研究
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構
- 23NM5214
- ダイヤモンドデバイスの研究
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構
- 23NM5220
- ナノ粒子の構造分析と特性評価
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構
- 23NM5371
- m面n-GaN MOSキャパシタの作製と電気特性評価
- 2024.7.25
- 物質・材料研究機構