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“NM-609“ で検索した結果 30件

表示件数

23NM5006
高性能ダイヤモンド電子デバイスの作製と絶縁体/ダイヤモンドヘテロ界面特性の解明
2024.7.25
物質・材料研究機構
23NM5067
GaN半導体の低抵抗オーム性電極の作製
2024.7.25
物質・材料研究機構
23NM5073
ワイドバンドギャップ半導体の微細構造形成・デバイス応用
2024.7.25
物質・材料研究機構
23NM5143
ホウ素ドープダイヤモンド電極付き圧力装置を用いた超伝導体探索
2024.7.25
物質・材料研究機構
23NM5159
量子デバイス応用を目指した薄膜評価とナノ構造作製
2024.7.25
物質・材料研究機構
23NM5186
二次元ヘテロ構造デバイスの研究
2024.7.25
物質・材料研究機構
23NM5196
ダイヤモンドデバイスの研究
2024.7.25
物質・材料研究機構
23NM5214
ダイヤモンドデバイスの研究
2024.7.25
物質・材料研究機構
23NM5220
ナノ粒子の構造分析と特性評価
2024.7.25
物質・材料研究機構
23NM5371
m面n-GaN MOSキャパシタの作製と電気特性評価
2024.7.25
物質・材料研究機構
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