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“AT-082“ で検索した結果 24件
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- 23AT0053
- 半導体デバイスの作製
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0073
- TiN/Alゲート電極形成に向けた条件検討
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0088
- Investigation of microstructure, composition and passivation performance of silicon nitride, silicon oxide, and titanium nitride thin films
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0095
- 酸化物の電気特性評価
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0103
- 高効率GaNマイクロLEDの研究
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0107
- GaN指向性マイクロLEDの研究
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0115
- 高誘電率ゲート絶縁膜上メタルゲートの実効仕事関数制御
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0135
- 光デバイスの作製
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0143
- 超高温環境で動作するAlNデバイスの作製
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0144
- 導電性サファイアの実現
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所