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“AE-010“ で検索した結果 10件
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- 23AE0012
- 窒化TiO2生成の素過程解明に向けたリアルタイム光電子分光
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構
- 23AE0014
- 超音速分子線を用いたグラフェンガスバリア特性評価のための要素技術開発: 光電子制御プラズマ照射による欠陥と透過特性の関係
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構
- 23AE0015
- 一酸化窒素分子線照射によるSi(111)基板上Hf堆積膜の酸窒化反応ダイナミクス解明
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構
- 23AE0016
- 軟X線放射光光電子分光によるArスパッタしたm面GaNの化学状態分析とショットキー電極形成
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構
- 23AE0031
- 超音速分子線を用いたグラフェンガスバリア特性評価のための要素技術開発:準大気圧下測定
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構
- 23AE0032
- 高性能MOS型パワーデバイス実現に向けたヘテロ界面評価とその制御技術の開発
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構
- 23AE0033
- 窒化TiO2生成の素過程解明に向けたリアルタイム光電子分光
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構
- 23AE0034
- 二次元原子層コーティング膜の顕微組成評価
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構
- 23AE0035
- ゲルマニウム単結晶上に作製したハフニウム堆積膜表面界面の化学状態を選別した酸化反応機構の解明
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構
- 23AE0037
- CVDグラフェン上に作製された有機分子薄膜のリアルタイム表面反応
- 2024.7.25
- 日本原子力研究開発機構