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“AE-001“ で検索した結果 7件
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- 22AE0017
- 高性能MOS型パワーデバイス実現に向けたヘテロ界面評価とその制御技術の開発
- 2023.8.1
- 日本原子力研究開発機構
- 22AE0032
- 軟X線放射光光電子分光による表面処理したm面GaNのその場酸化化学状態の分析とショットキー電極形成
- 2023.8.1
- 日本原子力研究開発機構
- 22AE0030
- 高性能MOS型パワーデバイス実現に向けたヘテロ界面評価とその制御技術の開発
- 2023.8.1
- 日本原子力研究開発機構
- 22AE0029
- 超音速分子線を用いたグラフェンガスバリア特性評価のための要素技術開発: イオン照射による欠陥と透過特性の関係
- 2023.8.1
- 日本原子力研究開発機構
- 22AE0016
- 超音速分子線を用いた数層グラフェンガスバリア特性評価のための要素技術開発: 基板加熱
- 2023.8.1
- 日本原子力研究開発機構
- 22AE0013
- Si(100)基板上Hf堆積膜の一酸化窒素による酸窒化反応 ; 表面界面化学状態を選別した反応性
- 2023.8.1
- 日本原子力研究開発機構
- 22AE0012
- 窒化TiO2生成の素過程解明に向けたリアルタイム光電子分光
- 2023.8.1
- 日本原子力研究開発機構