【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0243
利用課題名 / Title
新規EBレジスト材料の開発
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子線描画（EB）, 有機系機能性材料,リソグラフィ/Lithography,EB
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
河野 晃丈
所属名 / Affiliation
株式会社日本触媒
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
宇賀村忠慶
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
有機高分子には、ポリメチルメタクリレート（PMMA）の様に、電子線を露光することで分解し、EBレジストとして利用されているものがある。開発したポリマーにEB レジスト適性があるかどうかの評価を行う為、貴大学保有の電子線露光装置を用いて電子線描画を行った。
実験 / Experimental
電子線露光装置（NU-206）を用いて、Fig.1に示した条件で電子線の描画を行った。評価したサンプルは、弊社で開発したポリマーA（PMMAを基本骨格としたフッ素元素を含むポリマー）とポリマーB（PMMAを基本骨格とした主鎖に環構造を有するポリマー）、比較用のZEP520とPMMAの4サンプルである。膜厚は200～500nmで実施した。電子線露光後は、キシレンで40秒、イソプロパノールで30秒洗浄して、現像処理を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.2に、電子線露光後に現像処理を行ったレジストのレーザー顕微鏡の画像を示す。ZEP520やPMMAのレーザー顕微鏡の画像は、Line＆Spaceが明瞭であるのに対し、今回検討したポリマーA（PMMAを基本骨格としたフッ素元素を含むポリマー）とポリマーB（PMMAを基本骨格とした主鎖に環構造を有するポリマー）は、Line＆Spaceの明暗が薄い。以上より、今回開発したポリマーA、ポリマーB共に電子線に対する感度が低く、EBレジストに適用するには改良が必要であることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 電子線描画パターン
Fig.2 Pitch 2000nm現像後のレーザー顕微鏡像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件