【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.30】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0240
利用課題名 / Title
高周波GaN-HEMTの微細Tゲートの形成プロセス
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
EB
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
四方 啓太
所属名 / Affiliation
ローム株式会社 研究開発センター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
丸岡うらら
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大住 克史
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
通信分野では５Gの普及拡大とともに基地局の消費電力の大部分を占める増幅器において高出力高効率動作を可能にするGaNデバイスが注目されている。一方で近年、RF周波数の高周波化が進み、デバイスのゲート容量低減の目的からゲート電極をサブミクロン以下に微細化するプロセス技術が求められている。５G-NRにおいては0.25～0.4µm程度のゲート長が求められ、これらは一般的なi線ステッパー装置では制御が困難なため、より微細パターン形成に適したプロセスが必要となる。そこで名古屋大学保有のEB描画装置JBX6300SFを用いて微細ゲートパターンの形成プロセスに取り組んだ。
実験 / Experimental
GaN on SiC基板上にSiNを1000Å成膜した後、HMDS処理を施してから電子線用レジストZEP520A原液を5000rpm、30秒（スロープ5秒）の条件で塗布した後、170℃で10分間ベークしてから電子線描画を行った。JBX6300SFで加速電圧100kV、電流値2nAで図１に示す形状のパターンを描画した。その後、FIBによる断面観察を行い開口したパターンの出来栄えを確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
図２に示すのは、図１右図の設計幅0.25µmで開口したレジストのFIB加工断面のSEM観察結果である。わずかなパターン拡がりがあるものの開口幅0.3µm程度と高周波動作に十分な微細パターンの形成に成功した。この電子線描画条件が他のサンプルにも応用可能か、今後検討する予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１
図２
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件