【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0239
利用課題名 / Title
イオン照射による多層薄膜の損傷調査
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
表面処理,分析
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
西田 航
所属名 / Affiliation
AGC株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 近藤 博基 准教授
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
容量結合型プラズマエッチング装置にエネルギーアナライザーと真空紫外吸光分光装置を付設し、反応容器内の水素イオンエネルギーとフラックス、及び水素ラジカル密度を計測した。
実験 / Experimental
Fig.1に示す容量結合型プラズマ装置を使用し電極出力、反応容器圧力をパラメータに水素プラズマを生成し、エネルギーアナライザーで水素イオンエネルギーとフラックスを計測した。また水素ラジカル密度は真空紫外吸光分光装置により計測した。
結果と考察 / Results and Discussion
Table.1に示した水素流量100sccm固定条件で反応室内に供給し、電極出力とチャンバー圧力をパラメータに水素プラズマを生成し、イオンエネルギー、イオンフラックス、及びラジカル密度をそれぞれ計測した。電極出力によらずチャンバー圧力が減少方向に進むとイオンエネルギー、フラックス、ラジカル密度がそれぞれ増加傾向を示す事が判った。Fig.2はイオンエネルギーとフラックスの相関を示したグラフであり、エネルギー上昇と共にフラックスも増加する傾向が示唆された。一方、Fig.3はイオンフラックスとラジカルの相関を示している。本研究の水素プラズマ生成条件下では電極出力条件によらず、イオンフラックスの上昇に応じてラジカル密度も増加する傾向が示唆された。イオン生成が無い場合にラジカルも発生しないと仮定し、線形近似を行ったところ良い直線性を示した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Schematic of capacitively coupled plasma etching unit
Fig.2 Correlation diagram of ion energy and flux
Fig.3 Correlation diagram of ion flux and radical density
Table.1
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
共同研究者：国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学低温プラズマ科学研究センター・近藤博基准教授
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件