【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0214
利用課題名 / Title
Mgをイオン注入したp-GaNの活性化に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
イオン注入, p-GaN, 電極成膜, 縦型パワーデバイス,スパッタリング/Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
須山 篤志
所属名 / Affiliation
イオンテクノセンター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
川野輪仁,南川英輝
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Mgをイオン注入したp-GaNの活性化率、補償率などを算出するためのホール効果素子の作製を行っている。ホール効果素子作製プロセスの中でオーミック電極としてPd(200nm)を使用する必要があるため、名古屋大学の先端技術共同研究施設の3元マグネトロンスパッタ装置を用いてPd成膜を実施する。
実験 / Experimental
名古屋大学先端技術共同研究施設にある3元マグネトロンスパッタ装置を用いて、Mgイオン注入したGaN基板上にPdを200nm成膜した。その後、弊社にてホール効果測定を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
Pd成膜後に電流-電圧測定を実施したところ、Pd電極とp-GaNとの間でオーミック接触であることは確認できた。しかし、ホール効果測定結果より、全サンプルでn型若しくは導電性不明となり、p型伝導を確認することはできなかった。解析したところ、注入層に多数の欠陥が観察されたことから活性化アニール条件や活性化アニール時にGaN表面を保護する保護膜等の最適化が不十分だったことが推測される。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件