【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.08】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22WS0091

利用課題名 / Title

微細加工によるバイオセンサー用くし型電極チップの作製

利用した実施機関 / Support Institute

早稲田大学 / Waseda Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

リソグラフィ, 成膜, 膜加工・エッチング,リソグラフィ/Lithography,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

森 渉

所属名 / Affiliation

早稲田大学　先進理工学研究科　ナノ理工学専攻

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

杉浦健

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

星野勝美,野崎義人,加藤篤

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

WS-002：電子ビーム蒸着装置
WS-016：レーザー直接描画装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

バイオセンサー用のくし型電極チップの作製のため、早稲田大学の設備を利用してレーザー描画、イオンスパッタ成膜を行った。

実験 / Experimental

ガラス基板上にレジストを塗布し、レーザー描画装置を用いてくし型パターンを描画、現像した。次に金属を成膜しレジストを除去してくし型パターンを作製した。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig.1に現像時の光学顕微鏡像を示す。レーザー描画装置に入力した微細パターンを保持するように、レーザー描画でのDose量やDefocus値、現像液の現像時間を調整することで、目的のくし型パターンの現像に成功した。また、イオンスパッタ成膜によって金属膜のくし型パターンの作製に成功した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig. 1 photomicrograph image of a fabricated pattern

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

・共同研究者：株式会社オプトラン　に感謝します。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件