【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.08】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22WS0091
利用課題名 / Title
微細加工によるバイオセンサー用くし型電極チップの作製
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ, 成膜, 膜加工・エッチング,リソグラフィ/Lithography,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
森 渉
所属名 / Affiliation
早稲田大学 先進理工学研究科 ナノ理工学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
杉浦健
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
星野勝美,野崎義人,加藤篤
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
WS-002：電子ビーム蒸着装置
WS-016：レーザー直接描画装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
バイオセンサー用のくし型電極チップの作製のため、早稲田大学の設備を利用してレーザー描画、イオンスパッタ成膜を行った。
実験 / Experimental
ガラス基板上にレジストを塗布し、レーザー描画装置を用いてくし型パターンを描画、現像した。次に金属を成膜しレジストを除去してくし型パターンを作製した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1に現像時の光学顕微鏡像を示す。レーザー描画装置に入力した微細パターンを保持するように、レーザー描画でのDose量やDefocus値、現像液の現像時間を調整することで、目的のくし型パターンの現像に成功した。また、イオンスパッタ成膜によって金属膜のくし型パターンの作製に成功した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 photomicrograph image of a fabricated pattern
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・共同研究者：株式会社オプトラン に感謝します。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件