【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22WS0087
利用課題名 / Title
イオンビームスパッタによるアノード基板上へのAl2O3/Pt膜成形
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
成膜, 膜加工・エッチング, 形状・形態観察,スパッタリング/Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
神井 聡太
所属名 / Affiliation
早稲田大学 創造理工学部 総合機械工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
星野勝美,野崎義人
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
EPOxのコイン状セルの表面に触媒を積層することによって性能の向上を図った．
実験 / Experimental
イオンビームスパッタ装置によってコイン型のアノード基盤上（直径14 mm程度，厚さ4 mm程度）にPt（プラチナ）Al2O3をそれぞれ3，10nm積層した触媒層を2つ，両面にそれら合計13nmの触媒を積層したものを2つ作製を依頼した．（両面ともPt 3nmが表面）
結果と考察 / Results and Discussion
図１に依頼した加工後のコインセルの模式図を示す．この作成したセルを使用して発電試験・性能試験を実施する．この時使用する装置の模式図を図2に示す．また，今回はプラチナ3nmアルミナ10nmの膜を作製したが，今後，膜厚・触媒を変更して発電性能が向上するか随時確認を実施していく予定．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 依頼したコインセルの加工後模式図
図２ 発電試験装置概要図
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件