【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22WS0046
利用課題名 / Title
メッキによるCoPt薄膜の形成とその制御のための予備検討
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学 / Waseda Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
次世代メモリ,成形/Molding
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
荒木 大輝
所属名 / Affiliation
早稲田大学理工学術院
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
田中大器
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究ではCoPt薄膜を応用した磁気ナノワイヤ作製のための第一歩として、薄膜作製条件の最適化を行う。この際、基板の性状（寸法精度）はどの程度ナノワイヤ製作に関して重要なのかについて、技術相談を行った。その結果、正確な基板形状を作る事が非常に重要であるとの指導を受けた。そのためには、ダイシングソーを用いると正確に切断を行う事が可能であることが分かり、当該装置のオペレーショントレーニングを受けた。今後は本装置を使って正確なサイズの基板を製作していく。
実験 / Experimental
結果と考察 / Results and Discussion
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件