【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.04.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22WS0031
利用課題名 / Title
デバイスの耐圧特性
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ダイヤモンドMOSFET, 高耐圧特性,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
劉 江偉
所属名 / Affiliation
国立研究開発法人 物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐々木敏夫
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ワイドバンドギャップ半導体ダイヤモンドは大きなバンドギャップエネルギー、高いキャリア移動度および大きな破壊電界を持つため、高温、高出力、高周波、放射線や宇宙線下の過酷環境下でも安定に動作する電流スイッチおよび集積回路への応用が大きく期待されている。今回、ダイヤモンドＭＯＳＦＥＴの高耐圧特性を測定するため高耐圧デバイス測定装置（アジレント社製/B1505A）を用いて計測を行った。
実験 / Experimental
高耐圧デバイス測定装置＋ 高耐圧プローバを用いて高耐圧特性（～2000 Ｖ、＜100ｍA/mmを想定）を測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
測定結果の一例を図1に示す。
図１左に示すとおり、今回試作したダイヤモンドＭＯＳＦＥＴはGmで考えると想定程度のゲインを持っているといえる。ただし測定結果には素子によってばらつきがあり、動作不良のものも散見されたので、デバイス製作プロセスにはまだ検討の余地があると考えられる。また図１右に示すとおり、耐圧は１KV以上であることが確認され、この値は設計通りであるが、耐圧もデバイスによってばらつきがあり、やはりデバイス製作プロセスにはまだ検討の余地があると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1：ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞMOSFETの測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件